Theo nguồn tin rò rỉ từ Trung Quốc, Snapdragon 8 Elite Gen 5 – vi xử lý di động cao cấp sắp ra mắt của Qualcomm – sẽ đạt mức xung nhịp vượt trội và đem lại bước nhảy vọt lớn về điểm số hiệu năng so với thế hệ trước.
Cụm CPU mạnh mẽ trên tiến trình 3nm của TSMC
Snapdragon 8 Elite Gen 5 được cho là vẫn giữ cấu trúc 2 + 6 nhân tương tự thế hệ tiền nhiệm, nhưng xung nhịp đã được nâng cao đáng kể:
- Nhân hiệu năng đạt 4,61GHz (thậm chí bản thử nghiệm trên Galaxy S26 Edge ghi nhận tới 4,74GHz).
- Nhân tiết kiệm đạt 3,63GHz.
Nhờ tiến trình 3nm thế hệ ba của TSMC, Qualcomm có nhiều dư địa để đẩy xung mà vẫn giữ được mức tiêu thụ năng lượng hợp lý.
GPU Adreno 840: cải tiến nhỏ nhưng hiệu quả
Song hành với CPU là GPU Adreno 840, chạy ở xung mặc định 1,20GHz, cao hơn đôi chút so với Adreno 830 (1,10GHz). Đây không phải bước nhảy vọt về kiến trúc, nhưng sự kết hợp cùng CPU mới hứa hẹn mang lại trải nghiệm chơi game và xử lý đồ họa mượt mà hơn.
Điểm AnTuTu gây chú ý
Theo tin đồn, Snapdragon 8 Elite Gen 5 đã đạt hơn 4 triệu điểm AnTuTu, cao hơn 50% so với Snapdragon 8 Elite đang dẫn đầu bảng xếp hạng với 2,66 triệu điểm trên chiếc REDMAGIC 10 Pro. Nếu kết quả này được xác nhận, đây sẽ là một cột mốc lớn cho hiệu năng smartphone Android.
Samsung độc quyền ưu tiên
Giới thạo tin cho biết, nhờ thỏa thuận riêng với Qualcomm, Samsung sẽ là hãng đầu tiên được trang bị phiên bản cao cấp nhất của Snapdragon 8 Elite Gen 5 trên dòng Galaxy S26, dự kiến ra mắt cuối năm nay.
Lời kết
Với những thông số rò rỉ, có thể thấy Snapdragon 8 Elite Gen 5 sẽ là bước tiến mạnh về hiệu năng, đặc biệt ở mảng chơi game và xử lý AI. Tất cả sẽ được làm sáng tỏ tại sự kiện Snapdragon Summit ngày 23/9 tới đây, nơi Qualcomm chính thức công bố thế hệ chip di động mới nhất.
Bạn có muốn tôi thêm bảng so sánh nhanh giữa Snapdragon 8 Elite Gen 5 và Elite Gen 4/Elite (xung CPU, GPU, điểm AnTuTu) để bài viết trên GameN.Pro dễ thu hút hơn không?