SK hynix xác nhận đã hoàn tất quá trình phát triển bộ nhớ HBM4 và đang chuẩn bị hệ thống sản xuất hàng loạt. Đây được xem là bước ngoặt quan trọng khi thế hệ mới mang lại băng thông gấp đôi so với HBM3 nhờ giao diện 2.048 I/O, với tốc độ mỗi pin vượt mốc 10 Gb/s – cao hơn tiêu chuẩn 8 Gb/s của JEDEC.

Hãng cho biết HBM4 đạt hiệu quả năng lượng tốt hơn hơn 40% và có thể cải thiện hiệu suất các dịch vụ AI lên tới 69% khi triển khai thực tế. Ông Joohwan Cho, Giám đốc bộ phận phát triển HBM tại SK hynix, khẳng định: “Việc hoàn tất phát triển HBM4 sẽ trở thành cột mốc mới của ngành, giúp đáp ứng đúng lúc nhu cầu về hiệu năng, hiệu quả năng lượng và độ tin cậy từ khách hàng.”

HBM4 sẽ sử dụng công nghệ đóng gói MR-MUF tiên tiến và tiến trình DRAM 1bnm (thế hệ thứ 5 thuộc nhóm 10 nm). Tuy nhiên, dung lượng và chiều cao xếp lớp vẫn chưa được công bố.

Theo JEDEC, chuẩn HBM4 cho phép tốc độ 8 Gb/s mỗi pin và băng thông tối đa khoảng 2 TB/s mỗi stack. Việc SK hynix đạt mốc trên 10 Gb/s mở ra khả năng vượt xa chuẩn gốc, song mức khai thác thực tế còn phụ thuộc vào bộ điều khiển và ngân sách điện năng của các hãng sản xuất chip.

Dự kiến HBM4 sẽ xuất hiện trong nhiều sản phẩm ra mắt từ năm 2026. NVIDIA sẽ ứng dụng cho dòng Rubin (R200, Vera Rubin), AMD dùng trong Instinct MI400 cho trung tâm dữ liệu, còn Intel triển khai ở kiến trúc Jaguar Shores.

Bước tiến này không chỉ củng cố vị thế của SK hynix trong lĩnh vực bộ nhớ hiệu năng cao, mà còn tạo tiền đề cho cuộc đua thế hệ AI accelerator và GPU thế hệ mới.