DRAM đang trở thành tâm điểm của một vụ kiện tập thể tại Mỹ, khi Samsung, SK hynix và Micron bị cáo buộc phối hợp hạn chế nguồn cung để đẩy giá bộ nhớ lên cao. Đơn kiện cho rằng việc chuyển trọng tâm sang HBM phục vụ AI có thể đã được dùng như một vỏ bọc để cắt giảm sản lượng DDR3 và DDR4.
Samsung, SK hynix và Micron vừa bị kiện tại Tòa án Quận Bắc California, Mỹ, trong một vụ kiện tập thể liên quan đến cáo buộc thao túng giá bộ nhớ. Theo đơn kiện, 17 nguyên đơn cho rằng ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn đã phối hợp bất hợp pháp nhằm hạn chế nguồn cung DRAM và khiến giá tăng mạnh trong nhiều năm qua.
Vụ kiện được nộp dưới tên Garciaguirre v. Samsung Electronics và được phân cho thẩm phán Noel Wise. Các nguyên đơn viện dẫn Section 1 của Sherman Act, đạo luật chống độc quyền tại Mỹ, đồng thời nhắm vào ba công ty được cho là đang nắm khoảng 90% thị trường DRAM toàn cầu.
Nội dung đơn kiện cho rằng giá DRAM đã tăng khoảng 700% trong 4 năm. Nhóm nguyên đơn cáo buộc Samsung, SK hynix và Micron đã dùng quá trình chuyển dịch sang HBM, loại DRAM xếp chồng tốc độ cao phục vụ chip AI, như một cách che đậy việc thu hẹp sản xuất các dòng DDR3 và DDR4 phổ thông hơn.
Theo lập luận của phía nguyên đơn, việc cắt giảm nguồn cung commodity DRAM đã đẩy giá lên mức kỷ lục. Họ cũng cho rằng thị trường gần như không có đối thủ mới đủ khả năng can thiệp, vì xây dựng một nhà máy DRAM mới cần hàng chục tỷ USD và mất nhiều năm, khiến các doanh nghiệp hiện hữu có nhiều không gian để điều chỉnh sản lượng mà ít lo bị cạnh tranh nhanh chóng.
Danh sách nguyên đơn gồm 14 cá nhân và 3 doanh nghiệp PC nhỏ, trong đó có Troy’s Computers và đơn vị sửa chữa My Florida PC tại Florida. Đơn kiện cũng nhắc đến việc Apple tăng giá một số mẫu iPad và Mac gần đây như bằng chứng cho thấy áp lực chi phí bộ nhớ đang lan sang các sản phẩm tiêu dùng.
Nhóm nguyên đơn đang tìm kiếm tư cách kiện tập thể, yêu cầu lệnh cấm và bồi thường gấp ba lần thiệt hại theo cơ chế treble damages. Tuy nhiên, các cáo buộc hiện vẫn chưa được chứng minh và phía bị đơn chưa phản hồi tại tòa.
Vụ kiện mới cũng đối mặt với một tiền lệ không dễ vượt qua. Năm 2018, một vụ kiện tập thể khác do Hagens Berman khởi xướng từng đưa ra các cáo buộc tương tự về việc các nhà sản xuất DRAM cắt giảm sản lượng song song. Vụ kiện đó bị tòa án quận bác bỏ vào năm 2020 và quyết định này được Ninth Circuit giữ nguyên vào năm 2022.
Ở thời điểm đó, tòa cho rằng hành vi của ba công ty có khả năng được giải thích hợp lý hơn bằng hoạt động thị trường tự do hợp pháp, thay vì một thỏa thuận bất hợp pháp. Tòa cũng cho rằng các yếu tố bổ trợ mà nguyên đơn đưa ra chưa đủ để vượt ngưỡng chứng minh của Section 1, vốn đòi hỏi bằng chứng về một thỏa thuận thực sự chứ không chỉ là hành vi song song trong một thị trường chỉ có vài nhà cung cấp lớn.
Điểm mới của vụ kiện lần này là lập luận xoay quanh HBM. Các nguyên đơn cho rằng cú chuyển hướng sang HBM không chỉ là phản ứng riêng lẻ trước nhu cầu AI, mà có thể là yếu tố bổ sung cho thấy ba công ty đã cùng thu hẹp sản lượng DDR3 và DDR4 theo cách gây hại cho người mua.
Ở chiều ngược lại, Samsung, SK hynix và Micron trước đó đều công khai khẳng định họ hoạt động độc lập trong quá trình phân bổ lại năng lực sản xuất sang HBM. Các lãnh đạo trong ngành cũng từng cảnh báo tình trạng thiếu hụt bộ nhớ có thể kéo dài nhiều năm, do nhu cầu từ hạ tầng AI tăng nhanh.
Bài viết gốc cũng dẫn dự báo của Jefferies, cho rằng giá DRAM có thể tiếp tục tăng 40% đến 50% trong quý III và thêm 30% đến 40% trong quý IV, với khả năng chưa có cải thiện đáng kể trước năm 2028. Nếu dự báo này thành hiện thực, áp lực chi phí có thể tiếp tục ảnh hưởng đến PC, laptop, máy chủ, thiết bị di động và nhiều sản phẩm điện tử tiêu dùng khác.
Với DRAM, vụ kiện lần này không chỉ là tranh chấp pháp lý giữa người mua và ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn. Nó còn phản ánh căng thẳng ngày càng rõ giữa nhu cầu AI, năng lực sản xuất hạn chế và chi phí phần cứng đang tăng, trong khi câu hỏi liệu thị trường đang vận hành tự nhiên hay có sự phối hợp bất hợp pháp vẫn phải chờ tòa án làm rõ.