Nhà sản xuất bộ nhớ Nhật Bản thông báo ngừng sản xuất NAND planar — loại bộ nhớ ra đời từ thập niên 1980 — với lô hàng cuối cùng dự kiến xuất xưởng vào cuối năm 2028.

Kioxia vừa thông báo với khách hàng về kế hoạch ngừng sản xuất NAND 2D và BiCS 3D NAND thế hệ thứ ba. Điều làm sự kiện này trở nên đặc biệt hơn so với các thông báo khai tử sản phẩm thông thường là đây đánh dấu sự kết thúc của toàn bộ dòng bộ nhớ NAND planar — công nghệ tiền thân của 3D NAND được Toshiba đưa vào sản xuất từ khoảng năm 1987, tức là tồn tại suốt 41 năm trước khi người kế nhiệm của nó là Kioxia chính thức khai tử.

Danh sách sản phẩm bị ngừng sản xuất khá rộng, bao gồm NAND planar floating-gate trên các tiến trình 32nm (SLC, sản xuất từ 2009), 24nm (MLC, từ 2010) và 15nm (MLC và TLC, từ 2014), cùng với BiCS3 3D NAND 64 lớp thế hệ đầu ra mắt khoảng năm 2017. Toàn bộ các loại ô nhớ chính gồm SLC, MLC và TLC đều nằm trong danh sách, cùng hầu hết định dạng đóng gói phổ biến như BGA, TSOP, eMMC, UFS và thẻ SD — cho thấy đây là việc khai tử toàn bộ nền tảng công nghệ cũ chứ không phải chỉ loại bỏ một vài mã sản phẩm riêng lẻ.

Lịch trình khai tử theo quy trình tiêu chuẩn nhiều năm: đơn đặt hàng lần cuối được chấp nhận đến ngày 30/9/2026, còn lô hàng cuối cùng sẽ được xuất xưởng cho đến hết ngày 31/12/2028. Sau thời điểm đó, Kioxia sẽ hoàn toàn rời bỏ NAND planar và các thế hệ BiCS đầu để tập trung vào các node 3D NAND tiên tiến hơn.

Lý do đằng sau quyết định này không khó đoán. NAND 2D hiện chủ yếu được sử dụng trong các thiết bị cũ thuộc lĩnh vực ô tô, điện tử tiêu dùng, nhúng và công nghiệp, cùng một số thiết bị lưu trữ chuyên dụng có vòng đời dài. Trong bối cảnh nhu cầu từ ngành AI đang tăng vọt và đẩy giá bộ nhớ lên cao, việc duy trì năng lực sản xuất cho công nghệ lỗi thời không còn có ý nghĩa kinh tế với Kioxia. Khi các hợp đồng cung cấp dài hạn với khách hàng dần hết hạn, nhà sản xuất này chọn đóng chương cuối cho một công nghệ đã định hình toàn bộ ngành lưu trữ kỹ thuật số trong suốt bốn thập kỷ qua.